特許

J-GLOBAL ID：200903091951302113

ヒートシンク付セラミック回路基板

発明者： 黒光 祥郎 ,  長瀬 敏之 ,  菅村 邦夫 ,  大槻 真人
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-072962
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270596
出願日： 1997年03月26日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】放熱特性を向上し、熱サイクル寿命が長いセラミック回路基板を得る。【解決手段】セラミック基板13の両面に第1及び第2アルミニウム板11,12又は第1及び第2銅板がそれぞれ積層接着された構造体14がアルミニウム11又は銅板を介してヒートシンク16に接合される。構造体14とヒートシンク16が両面にAl融点降下層17aが形成された純度99重量%以上のアルミニウム箔17を介して接合される。Al融点降下層がAl-Si合金層、Al-Cu合金層、Al-Mg合金層、Al-Ni合金層、Al-Ag合金層又はAl-Ce合金層である。構造体及びヒートシンクのそれぞれの接合面がNiめっき11a,16aされる。セラミック基板がAlN,Si3N4又はAl2O3により形成され、ヒートシンクがCu、Al又はAlSiC系複合材料により形成される。アルミニウム箔は5〜500μmの厚さを有する。

請求項（抜粋）：

セラミック基板(13,23)の両面に第1及び第2アルミニウム板(11,12)又は第1及び第2銅板(21,22)がそれぞれ積層接着された構造体(14,24)が前記アルミニウム(11)又は銅板(21)を介してヒートシンク(16)に接合されたヒートシンク付セラミック回路基板において、前記構造体(14,24)と前記ヒートシンク(16)が両面にAl融点降下層(17a)が形成された純度99重量%以上のアルミニウム箔(17)を介して接合されたことを特徴とするヒートシンク付セラミック回路基板。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/373 ,  H01L 23/48

FI (3件)：

H01L 23/12 J ,  H01L 23/48 G ,  H01L 23/36 M