特許
J-GLOBAL ID：200903091956627690
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-274162
公開番号（公開出願番号）：特開平6-125089
出願日： 1992年10月13日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：
【要約】【目的】 記憶時および消去時にトンネル絶縁膜に高電圧が加わらなく、かつ、電流注入効率を高めた不揮発性メモリを提供する。【構成】 Si基板100にチャネル領域としてSi-Ge単結晶薄膜110を設け、その上側のトンネル絶縁膜112として酸窒化シリコン(SiOx Ny )膜を設け、その上側の浮遊ゲート電極114をSi-Ge多結晶薄膜で形成したこと。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、該基板上に設けられた第2導電型の第1および第2不純物領域と、該第1および第2不純物領域間に存在するチャネル領域と、前記チャネル領域上に設けられた第1絶縁膜と、該第1絶縁膜上に設けられた第1導体層と、該第1導体層上に設けられた第2絶縁膜と、 該第2絶縁膜上に設けられた第2導体層とを少なくとも具えた不揮発性半導体記憶装置において、チャネル領域をシリコン-ゲルマニウム(Si-Ge)単結晶層とし、および第1導体層がシリコン-ゲルマニウム(Si-Ge)多結晶膜としたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
