特許
J-GLOBAL ID：200903091957497870
強誘電性薄膜
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-348293
公開番号（公開出願番号）：特開平7-187894
出願日： 1993年12月25日
公開日（公表日）： 1995年07月25日
要約：
【要約】【目的】 ペロブスカイト型複合酸化物よりなる強誘電体材料の特性を有効に生かすことができると共に、この材料による配向成長薄膜を金属電極で挟んだ構造が実現できる強誘電性薄膜を提供する。【構成】 (100)面を主面とするシリコン基板1の主面上に膜厚600nmのSiO2 によるアモルファス層2を設け、このアモルファス層上に、膜厚50nmのタンタル膜3を、次いで膜厚50nmの白金の(111)面配向膜4を形成する。次に酢酸鉛、Zrプロポキシド及びTiプロポキシドのメトキシエタノール溶液をゾル-ゲル法で部分加水分解して得た前駆体溶液を用いて白金膜4上に複数回の塗布及びアニール処理を行い、膜厚400nmの強誘電体薄膜5すなわちペロブスカイト型複合酸化物の(111)面配向膜を形成する。
請求項（抜粋）：
(100)面を主面とするシリコン基板の主面上にアモルファス層を介して少なくとも1層以上の金属膜があり、その金属膜層のうち少なくとも1層が立方晶金属(111)面配向膜であり、さらにこの金属膜上に配向成長したペロブスカイト型強誘電体の薄膜が形成されていることを特徴とする強誘電性薄膜。
IPC (6件)：
C30B 29/32
, C04B 35/49
, C23C 14/06
, C30B 23/08
, G02F 1/025
, H01B 3/00
