特許

J-GLOBAL ID：200903091958732717

薄膜抵抗の形成方法

発明者： 高野 修
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-079929
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291258
出願日： 1993年04月07日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】 アルミニウムパターンを先に形成し、後から薄膜抵抗を形成することにより、オーミック特性が良好でArエッチング及び残渣シリコンエッチング等の影響を全く受けることがなく、精度の良い安定した薄膜抵抗を提供する。【構成】 半導体装置における薄膜抵抗の形成方法において、半導体基板上にアルミニウム配線パターン15を形成する工程と、薄膜抵抗膜17Aを堆積する工程と、アルミニウム配線パターン15に接続されるようにホトリソグラフィ技術を用いて薄膜抵抗パターン17を形成する工程とを施す。

請求項（抜粋）：

半導体装置における薄膜抵抗の形成方法において、(a)半導体基板上に配線パターンを形成する工程と、(b)薄膜抵抗膜を堆積する工程と、(c)前記配線パターンに接続されるように薄膜抵抗パターンを形成する工程とを施すことを特徴とする薄膜抵抗の形成方法。