特許
J-GLOBAL ID：200903091972391914
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊栖 康弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-045983
公開番号（公開出願番号）：特開平6-237012
出願日： 1993年02月10日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 順方向電圧を低くして発光部分を集中する。【構成】 基板の上に、n型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型ドーパントをドープして抵抗率を1000Ω・cm以下に調整したp型窒化ガリウム系化合物半導体層4Aとを有する。n型窒化ガリウム系化合物半導体層とp型ドーパントをドープしたp型窒化ガリウム系化合物半導体層とには、アニーリング処理して電気的に接続されたn型電極6およびp型電極5を形成している。電極に通電してp型電極の周縁近傍を他の部分よりも強く発光させる。
請求項（抜粋）：
基板の上に、少なくともn型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型ドーパントをドープして抵抗率を1000Ω・cm以下に調整したp型窒化ガリウム系化合物半導体層とを有し、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層と前記p型ドーパントをドープしたp型窒化ガリウム系化合物半導体層とには、それぞれ、アニーリング処理して電気的に接続されたn型電極およびp型電極が形成されており、n型電極とp型電極とに通電することにより、前記p型電極の周縁近傍を他の部分よりも強く発光させるように構成したことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
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