特許
J-GLOBAL ID：200903091978763368
電力配線構造及び半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
和泉 良彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-154704
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332688
出願日： 2000年05月25日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：
【要約】【課題】低インダクタンス化を可能にした電力配線構造を提供する。【解決手段】相補的に開閉するスイッチング素子4、5が2個直列に接続された回路で、その両端に電源からの電力線が接続され、前記2個のスイッチング素子の接続点から負荷への出力線を引出した回路であって、前記両端の電力線を高電位側のPと低電位側のNとし、前記出力線をUとし、前記P、NおよびUをそれぞれ厚さよりも幅が大きい幅広電極で形成し、かつ、相互に絶縁体を介してPUNの順に厚さ方向に積層して3層幅広電極構造とした電力配線構造。出力線Uに流れるのと同じ電流がP電力線またはN電力線のどちらかを出力線Uと反対方向に流れるため、電流によって発生する磁界を相殺することが出来、それによって配線のインダクタンスを効果的に低減できる。
請求項（抜粋）：
相補的に開閉するスイッチング素子が2個直列に接続された回路で、その両端に電源からの電力線が接続され、前記2個のスイッチング素子の接続点から負荷への出力線を引出した回路であって、前記両端の電力線を高電位側のPと低電位側のNとし、前記出力線をUとし、前記P、NおよびUをそれぞれ厚さよりも幅が大きい幅広電極で形成し、かつ、相互に絶縁体を介してPUNの順に厚さ方向に積層して3層幅広電極構造としたことを特徴とする電力配線構造。
IPC (4件)：
H01L 25/07
, H01L 25/18
, H02M 1/00
, H02M 7/48
H02M 1/00 J
, H02M 7/48 Z
, H01L 25/04 C
5H007AA01
, 5H007AA06
, 5H007CA01
, 5H007CB04
, 5H007CB05
, 5H007CC07
, 5H007CC14
, 5H007HA03
, 5H007HA04
, 5H740AA03
, 5H740BA11
, 5H740BB05
, 5H740BB08
, 5H740MM10
, 5H740MM18
, 5H740PP01
, 5H740PP02
, 5H740PP04
