特許
J-GLOBAL ID：200903091980303960
パワー半導体素子
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-180606
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007282
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 複数のスイッチングチップおよびダイオードチップ間の各電流経路を等しくするとともにインピーダンスを小さくして、小型化、高性能化、信頼性の向上を図ったパワー半導体素子を提供する。【解決手段】 金属ベース5上にスイッチングチップ用絶縁基板3c,3dおよびダイオードチップ用絶縁基板3eが搭載され、スイッチングチップ用絶縁基板3c,3dの中央にはエミッタパターン11aが、その両側にはコレクタパターン10a,10bが形成され、コレクタパターン10a,10bには各々2個のスイッチングチップ1が実装され、各スイッチングチップからエミッタ電極接続部13aまでの距離が等しくなるようにスイッチングチップ用絶縁基板のエミッタパターンの中央にエミッタ電極接続部が設けられ、エミッタ電極接続部の間近のコレクタパターン上にコレクタ電極接続部12a,12bが設けられている。
請求項（抜粋）：
スイッチングチップおよび該スイッチングチップに逆並列に接続されたダイオードチップを各々複数個ずつ別々の絶縁基板に実装してから金属板に搭載し、コレクタ電極およびエミッタ電極とともに絶縁型ケースに収納したパワー半導体素子であって、スイッチングチップ用のコレクタ電極接続部から複数のスイッチングチップの各々を通ってエミッタ電極接続部に至る経路の各スイッチングチップ毎の距離が等しいように前記コレクタ電極接続部および前記エミッタ電極接続部をそれぞれスイッチングチップ用絶縁基板に形成されたコレクタパターンおよびエミッタパターン上に配設し、ダイオードチップ用のアノード電極接続部から複数のダイオードチップの各々を通ってカソード電極接続部に至る経路の各ダイオードチップ毎の距離が等しいように前記アノード電極接続部および前記カソード電極接続部をそれぞれダイオードチップ用絶縁基板に形成されたアノードパターンおよびカソードパターン上に配設することを特徴とするパワー半導体素子。
IPC (2件)：
前のページに戻る
