特許
J-GLOBAL ID：200903091989306406
半導体製造装置のプロセスパラメータ検査方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
守山 辰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-332976
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167547
出願日： 1994年12月14日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：
【要約】【目的】 プロセスパラメータをプロセスレシピに組込み設定するに先立って、プロセスパラメータの適合性を検査し、延いては、オペレータの作業負担を軽減した迅速なるプロセスパラメータの設定処理を実現する。【構成】 上位の制御装置1、2からプロセスパラメータを送信して半導体製造装置3のプロセスレシピに組み込むに際し、予め当該プロセスパラメータの適合性を検査する方法であって、上位の制御装置1、2からプロセスパラメータの概要から成るチェックデータを受信して、当該チェックデータと半導体制動装置3のプロセスレシピとを比較して、プロセスパラメータのプロセスレシピに対する適合性を判断し、プロセスパラメータがプロセスレシピに適合しない時には不適合の原因及びパラメータに関する情報を上位の制御装置1、2へ送信する。
請求項（抜粋）：
上位の制御装置からプロセスパラメータを送信して半導体製造装置のプロセスレシピに組み込むに際し、予め当該プロセスパラメータの適合性を検査する方法であって、上位の制御装置からプロセスパラメータの概要から成るチェックデータを受信するステップと、チェックデータと半導体制動装置のプロセスレシピとを比較して、プロセスパラメータのプロセスレシピに対する適合性を判断するステップと、プロセスパラメータがプロセスレシピに適合しない時には不適合の原因及びパラメータに関する情報を上位の制御装置へ送信するステップと、を有することを特徴とする半導体製造装置のプロセスパラメータ検査方法。
IPC (2件)：
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