特許

J-GLOBAL ID：200903091989390830

窒化物半導体装置及びそれを用いた電力変換装置

発明者： 岡 徹
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 清水 敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-004261
公開番号（公開出願番号）：特開2008-172055
出願日： 2007年01月12日
公開日（公表日）： 2008年07月24日
要約：

【課題】半導体層内部に発生する電界を低減し、耐圧を向上できる窒化物半導体装置を提供する。【解決手段】チャネル層を形成する第1の窒化物半導体層3、及びそれより禁制帯幅が広く窒化物半導体層3に対し障壁層となる層を含む第2の窒化物半導体層4を含む半導体層と、この半導体層3,4上に互いに間隔を隔てて形成されたソース電極5及びドレイン電極6と、半導体層3,4上のソース電極5とドレイン電極6との間の領域に形成されたゲート電極7とを備え、少なくともゲート電極7とドレイン電極6との間に存在する半導体層3,4にはフッ素を含む少なくとも1つのフッ素導入領域9が備えられている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

少なくともチャネル層を形成する第1の窒化物半導体層、及び前記第1の窒化物半導体層よりも禁制帯幅が広く前記第1の窒化物半導体層に対して障壁層となる層を少なくとも1層含んでなる第2の窒化物半導体層を含む半導体層と、 前記半導体層上に互いに間隔を隔てて形成されたソース電極及びドレイン電極と、 前記半導体層上の、前記ソース電極及びドレイン電極の間の領域に形成されたゲート電極とを備え、 少なくとも前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に存在する前記半導体層にはフッ素を含んでなる少なくとも1つのフッ素導入領域が備えられている、窒化物半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/06

FI (5件)：

H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 A ,  H01L29/06 301D

Fターム (70件)：

4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104BB28 ,  4M104BB33 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD26 ,  4M104DD91 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104FF06 ,  4M104FF13 ,  4M104FF22 ,  4M104FF27 ,  4M104FF31 ,  4M104GG02 ,  4M104GG08 ,  4M104GG12 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GR04 ,  5F102GR06 ,  5F102GR11 ,  5F102GR12 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F140AA25 ,  5F140AC39 ,  5F140BA01 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA17 ,  5F140BB13 ,  5F140BB15 ,  5F140BB18 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF43 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15