特許
J-GLOBAL ID：200903091989796705
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-293323
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136042
出願日： 1991年11月08日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】半導体基板表面上にレジスト膜を形成する、集積回路製造プロセスにおいて半導体基板外周部のレジスト膜が厚くなる問題を抑制する。【構成】レジスト液を塗布する際に、中央部と周辺部とを独立に温度を制御できるチャッキングテーブル6に半導体基板2を乗せ、半導体基板外周部のみ低温状態にし、その後レジスト液を滴下し半導体基板2を回転させレジスト膜を形成する。【効果】上述した構成による製造プロセスを採用することにより、半導体基板全面にわたって均一なレジスト膜を得ることができ、歩留りの安定、向上ができた。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面上にレジスト液を塗布する際に、半導体基板中央部に対して外周部の温度を低温に制御しながら、半導体基板を回転させ、レジスト液を塗布することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, B05D 1/40
, G03F 7/16 502
, B05C 11/08
