特許
J-GLOBAL ID：200903091992911418
絶縁ゲート型半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-007614
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132800
出願日： 1993年01月20日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：
【要約】【目的】 電気的雑音による誤動作がなく、過大な主電流を高速で制限し、かつゼロ付近まで遮断する。【構成】 負荷が接続されるIGBT1により主電流を調整する。この主電流の一部はIGBT2に分流する。この分流した電流は、抵抗3を流れることにより、抵抗3の両端の間の電圧に変換される。負荷の短絡などにより主電流が過度に上昇すると、この電圧が所定の大きさを超え、トランジスタ5とサイリスタ7が導通状態になる。これらの結果、IGBT1のゲートGとエミッタEの間の電圧が引き下げられるので、主電流が遮断される。【効果】 トランジスタは応答が早いので、主電流の過度な上昇を事前に防止し、サイリスタは導通時の抵抗がより低いので、主電流をゼロまで遮断する。
請求項（抜粋）：
絶縁ゲート型半導体装置であって、(a)第1電流電極と、第2電流電極と、前記第1および第2電流電極から絶縁された第1制御電極とを有し、当該第1制御電極と前記第2電流電極の間に付加される第1電圧が大きいほど、当該第1電圧に応答して前記第1および第2電流電極の間がより導通した状態となる第1の絶縁ゲート素子と、(b)第3電流電極と、第4電流電極と、前記第3および第4電流電極から絶縁された第2制御電極とを有し、当該第2制御電極と前記第4電流電極の間に付加される第2電圧が大きいほど、当該第2電圧に応答して前記第3および第4電流電極の間がより導通した状態となり、当該第3電流電極と前記第1電流電極とが接続され、当該第2制御電極と前記第1制御電極とが接続され、当該第4電流電極が前記第2電流電極と結合される第2の絶縁ゲート素子と、(c)前記第2電流電極と前記第4電流電極との間に介挿される抵抗と、(d)出力端子を有し、当該出力端子が前記第1および第2制御電極へ結合され、当該出力端子へ調整された第3電圧を出力するゲート駆動手段と、(e)コレクタ電極、エミッタ電極、およびベース電極を有し、前記第1および第2制御電極と当該コレクタ電極が結合され、前記第4電流電極と当該ベース電極が接続され、前記第2電流電極と当該エミッタ電極が結合されたトランジスタ素子と、(f)アノード電極、カソード電極、及びゲート電極を有し、当該ゲート電極と当該カソード電極の間の電圧が一旦所定以上の大きさになると、当該アノード電極と当該カソード電極の間が導通し、前記第1及び第2制御電極と当該アノード電極が結合され、前記第2電流電極と当該カソード電極が接続され、第4電流電極と当該ゲート電極が結合されたサイリスタ素子と、を備える絶縁ゲート型半導体装置。
IPC (3件)：
H03K 17/56
, H03K 17/12
, H03K 17/16
