特許
J-GLOBAL ID：200903091994313704
半導体処理装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-263673
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082786
出願日： 1995年09月19日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】【課題】半導体製造装置内でセラミックスヒーター等を高温で繰り返して使用したときにも、抵抗発熱体等の抵抗値の上昇や断線を防止し、セラミック基材の接合強度の低下を防止できるようにすること。【解決手段】半導体処理装置は、緻密質セラミックスからなり、内部に密閉空間が形成されている基材6と、この密閉空間内7に設置されている金属製のバルク材4と、このバルク材4に対して電気的に接続されている端子とを備えている。基材6が緻密質セラミックスの固相接合体からなる。
請求項（抜粋）：
緻密質セラミックスからなり、内部に密閉空間が形成されている基材と、この密閉空間内に設置されている金属製のバルク材と、このバルク材に対して電気的に接続されている端子とを備えており、前記基材が緻密質セラミックスの固相接合体からなることを特徴とする、半導体処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/68
, H01L 21/3065
, H01L 21/324
, H05B 3/14
H01L 21/68 N
, H01L 21/324 H
, H05B 3/14 B
, H01L 21/302 A
