特許
J-GLOBAL ID：200903091997135106
圧電体薄膜素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-152877
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347613
出願日： 2002年05月27日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：
【要約】【課題】 高い素子性能を有し、低コスト、高い歩留まりで実現できる圧電体薄膜素子を提供する。【解決手段】 シリコンウエハ等の基板1の上に順次、下地膜2、第1電極3、結晶配向制御層4、圧電体薄膜5、第2電極6が形成される。下地膜2は窒化シリコンと酸化シリコンとの2層構造を有し、第1電極3はチタン密着層とイリジウム主導体層との2層構造を有し、第2電極6はチタン密着層と白金主導体層との2層構造を有する。結晶配向制御層4はルテニウム酸ストロンチウム等で形成され、圧電体薄膜5はチタン酸鉛等で形成され、圧電体薄膜5の結晶配向が<101>、<111>および<100>に制御されることで、<111>方向と比べて自発分極方向成分がより大きくなる。
請求項（抜粋）：
圧電性材料からなる圧電体薄膜と、圧電体薄膜の下方に設けられた第1電極と、圧電体薄膜の上方に設けられた第2電極と、第1電極と圧電体薄膜との間に設けられ、圧電体薄膜の結晶配向性を制御するための結晶配向制御膜とを備え、結晶配向制御膜は、導電性を有することを特徴とする圧電体薄膜素子。
IPC (4件)：
H01L 41/08
, H01L 41/09
, H01L 41/18
, H03H 9/17
H03H 9/17 F
, H01L 41/08 D
, H01L 41/18 101 Z
, H01L 41/08 C
5J108AA08
, 5J108BB08
, 5J108CC11
, 5J108FF05
, 5J108KK01
