特許
J-GLOBAL ID：200903092000717530
半導体素子の微細パターン形成用フォトマスク
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中川 周吉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-017755
公開番号（公開出願番号）：特開平8-054727
出願日： 1995年02月06日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】半導体素子の微細パターンをステップが有している解像力限界以上で形成するフォトマスクを提供する。【構成】クロムパターンの線幅3X:クロムパターンの間のスペースの幅5X=3:5の比率になるように石英基板12上に形成されたクロムパターン13と、クロムパターン13の間のスペースの中心部分にクロムパターン13の線幅より小さい幅で形成された位相反転物パターン14と、位相反転物パターン14の両側分に形成され、位相反転物パターン14と共にクロムパターン13の線幅と同一である幅になるように形成された補助パターン15から構成される。
請求項（抜粋）：
ステップが有する解像力限界以上の微細パターンを形成する時、用いられる重畳露光用フォトマスクにおいて、クロムパターンの線幅:クロムパターンの間のスペースの幅=3:5の比率になるように石英基板上に形成されたクロムパターンと、前記クロムパターンの間のスペースの中心部分に前記クロムパターン線幅より小さい幅で形成された位相反転物パターンと、前記位相反転物パターンの両側部に形成され、前記位相反転物パターンと共に前記クロムパターンの線幅と同一である幅になるように形成された補助パターンから構成されたことを特徴とする半導体素子の微細パターン形成用フォトマスク。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 502 C
, H01L 21/30 528
