特許
J-GLOBAL ID：200903092002781996
圧力勾配型ホローカソード型イオンプレーティング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金山 聡 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-310833
公開番号（公開出願番号）：特開2000-144390
出願日： 1998年10月30日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
要約：
【要約】【課題】 圧力勾配型のホローカソード型イオンプレーテイング装置で、チャンバーの一部の側壁側スペースでの異常放電の問題、多源ホローカソード型イオンプレーテイング装置における各プラズマガンから発生されるプラズマビームの互いの干渉による悪影響の問題を解決できる装置を提供する。更には、成膜の制御がし易く、且つ、蒸発粒子の効率利用ができる装置を提供する。【解決手段】 圧力勾配型のホローカソード型イオンプレーティング装置であって、チャンバー部は、プラズマビームの自己磁場による、進行方向に対してのねじれを考慮して、設計されている。
請求項（抜粋）：
圧力勾配型ホローカソード型イオンプレーティング装置であって、チャンバー部は、プラズマビームの自己磁場による、進行方向に対してのねじれを考慮して設計されたもので、チャンバーのプラズマビームのビームがねじれて行く方向側の、チャンバーの側壁と、ねじれを考慮しない場合の該側壁側のプラズマビーム位置とのスペースを、チャンバーのプラズマビームのビームがねじれて行く方向とは反対側の、チャンバーの側壁と、ねじれを考慮しない場合の該側壁側のプラズマビーム位置とのスペースに比べ、大きくしたことを特徴とする圧力勾配型ホローカソード型イオンプレーテイング装置。
Fターム (2件)：
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