特許

J-GLOBAL ID：200903092003573890

分子素子およびその製造方法ならびに集積回路装置およびその製造方法

発明者： 魚崎 浩平 ,  増田 卓也
出願人/特許権者： 国立大学法人 北海道大学
代理人 (1件)： 森 幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-243688
公開番号（公開出願番号）：特開2007-057867
出願日： 2005年08月25日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：

【課題】 光照射によってオン/オフ動作を可逆的に行わせることができ、しかもSi基板に代表される半導体基板上に化学結合により構築した安定性に優れた分子素子ならびにそのような分子素子を複雑な合成スキームおよび特別な装置を必要とせずに容易に製造することができる分子素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 Si、GeおよびCからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素からなり、ダイアモンド型構造を有する半導体基板1の表面に有機単分子層2を化学結合により形成し、この有機単分子層2に、光照射によって電気伝導度が可逆的に変化する少なくとも一種の少なくとも一つのフォトクロミック分子3を化学結合により固定することで分子素子を形成する。この分子素子は、フォトクロミック分子3に紫外光を照射することによりオンし、可視光を照射することによりオフする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

Si、GeおよびCからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素からなり、ダイアモンド型構造を有する半導体基板の表面に化学結合により固定された、光照射によって電気伝導度が可逆的に変化する少なくとも一種の少なくとも一つのフォトクロミック分子を有することを特徴とする分子素子。

IPC (2件)：

G02F 1/15 ,  G09F 9/30

FI (2件)：

G02F1/15 506 ,  G09F9/30 379

Fターム (7件)：

2K001AA16 ,  2K001CA22 ,  5C094AA43 ,  5C094AA53 ,  5C094BA51 ,  5C094EB03 ,  5C094GA01