特許
J-GLOBAL ID：200903092017293025
磁気抵抗効果素子および磁気変換素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
皿田 秀夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-219121
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242544
出願日： 1997年07月30日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 耐食性および熱安定性に優れ、Huaの劣化がなく、かつブロッキング温度が十分に高い反強磁性層(ピン止め層)の提供と、この反強磁性層(ピン止め層)特性を生かし、耐食性および熱安定性に優れ、磁場感度が高く、MR変化率が大きい磁性多層膜を備えてなる磁気抵抗効果素子、およびそれを用いた磁気抵抗効果型ヘッド等の磁気変換素子を提供する。【解決手段】 磁気抵抗効果素子と、導体膜と、電極部とを含む磁気変換素子であって、前記導体膜は、前記電極部を介して前記磁気抵抗効果素子と導通しており、前記磁気抵抗効果素子は、非磁性金属層と、非磁性金属層の一方の面に形成された強磁性層と、非磁性金属層の他方の面に形成された軟磁性層と、前記強磁性層の磁化の向きをピン止めするために強磁性層の上(非磁性金属層と接する面と反対側の面)に形成されたピン止め層とを有する磁性多層膜を備える。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗効果素子と、導体膜と、電極部とを含む磁気変換素子であって、前記導体膜は、前記電極部を介して前記磁気抵抗効果素子と導通しており、前記磁気抵抗効果素子は、非磁性金属層と、非磁性金属層の一方の面に形成された強磁性層と、非磁性金属層の他方の面に形成された軟磁性層と、前記強磁性層の磁化の向きをピン止めするために強磁性層の上(非磁性金属層と接する面と反対側の面)に形成されたピン止め層とを有する磁性多層膜を備えており、前記ピン止め層は、Rux My Mnz (MはRh,Pt,Pd,Au,Ag,Reから選ばれた少なくとも1種であり、1≦x≦30,1≦y≦30,69≦z≦90,10≦x+y≦31(x,y,およびzの単位は原子%))から構成されることを特徴とする磁気変換素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/14
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/14
