特許
J-GLOBAL ID：200903092019417139
分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-195281
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147458
出願日： 1994年08月19日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：
【要約】【目的】 高信頼性かつ高量産性に富み、かつ高い歩留まりを有する分布帰還型半導体レーザを提供する。【構成】 n-InP基板1上に、2007Å周期の利得結合型回折格子(深さ50nm)が形成されている。この回折格子は、n-InGaAs量子井戸光吸収層2を含み、その上にはn-InGaAsP光導波層3、InGaAsPバリヤ層とInGaAsP井戸層10周期から成るアンドープのInGaAsP歪MQW活性層4、p-InPクラッド層5、p-InGaAsコンタクト層6が形成されている。量子井戸光吸収層2のバンドギャップは、共振器方向に沿って周期的に変化し、レーザ光を吸収する領域が2007Å周期で形成されている。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、該半導体基板上に形成され、レーザ光発生のための活性層を含む半導体積層構造体と、該半導体基板と該半導体積層構造との間に設けられた利得結合型回折格子と、を備えた分布帰還型半導体レーザであって、該回折格子は、該半導体基板の上面に周期的に配列された、頂部の丸い複数の曲面状凸部と、該複数の曲面状凸部を覆う量子井戸光吸収層と、を有しており、該量子井戸光吸収層は、該複数の曲面状凸部の各境界部において第1の厚さを有する光吸収部分と、該複数の曲面状凸部に各頂部において該第1の厚さよりも薄い第2の厚さを有する光非吸収部と、を含んでおり、該光吸収部のバンドギャップは、該活性層のバンドギャップよりも狭く、該光非吸収部のバンドギャップは該活性層のバンドギャップよりも広い、分布帰還型半導体レーザ。
引用特許：
前のページに戻る
