特許
J-GLOBAL ID：200903092031215134
低磁気モーメントを有する磁気光学材からなる製品
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 正夫 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-176107
公開番号（公開出願番号）：特開平9-185027
出願日： 1996年07月05日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 低磁気モーメントを有する磁気光学材からなる製品を提供する。【解決手段】 特定の実施例によるガーネット材は、予め定めた動作範囲(例えば、-40°Cから+80°C)内で、|Hs|>|4πMs|Oeおよび|4πMs|<100Gの実質的に四角い磁化ループを示す。この場合、Hsはループの切替え磁場であり、4πMsは飽和磁化である。上記の材料は、改善されたラッチング行動を示す。本発明の他の実施例の場合には、ガーネット材の組成は、上記の材料が少なくとも室温においてはしっかりとしたラッチング行動(|Hs|≧500Oe)を示すように選ばれる。本発明のガーネット材は、磁気光学アイソレータおよび他の磁気光学装置内で有利に使用することができる。例えば、この材料を使用すれば、バイアス磁石を含んでいないアイソレータをつくることができる。
請求項（抜粋）：
規定単位当たりの原子の数で表したガドリニウム、テルビウムおよびダイスプロジウムの濃度Gd,TbおよびDyが、Gd+(Tb/2.1)+(Dy/2.5)<1.0になるように、ガドリニウム、テルビウムおよびダイスプロジウムそれぞれの規定単位当たりの原子の数が1.0、2.1および2.5以下にするため、本体の規定組成を選択し、さらに室温を含む本体の予め定めた動作温度範囲内での如何なる温度においても、本体が、主要面に垂直な上記の方向に対して平行に加えられた磁場H内において、Hsが磁化ループの切替え磁場であり、4πMsが飽和磁化である場合に、|Hs|>|4πMs|Oeの実質的に四角い磁化ループを有するように、また上記の飽和磁化が、上記の温度範囲全体にわたって絶対値で100G以下となり、それにより上記の本体が上記の動作温度範囲内の如何なる温度においてもラッチング動作を示すように、基準組成を選択することを特徴とする、基準組成、主要面および上記の主要面に垂直な方向に4πMの磁化を有する磁気光学ガーネット材の本体からなる製品。
IPC (2件)：
G02F 1/09 501
, C30B 29/28
G02F 1/09 501
, C30B 29/28
