特許

J-GLOBAL ID：200903092037612801

受光素子および光通信モジュール

発明者： 萬濃 正也
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小笠原 史朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-330652
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101113
出願日： 2003年09月22日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：

【課題】 複数の波長の光を1本の光ファイバによって光送受信を行う光通信モジュールに用いる半導体受光素子の光クロストークを防止する。【解決手段】 半導体受光素子の基板と受光層の間に送信光を吸収し、受信光を透過させるn-InGaAsP吸収層11を設け、また、受光層と吸収層の間に正孔拡散抑止するn-InPキャリア拡散抑止層21を設けた構成とし、吸収層の膜厚を2〜6μm、キャリア濃度を1×1017cm-3未満とすることにより光クロストークを防止する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に少なくともpn接合を有する受光層を設けた受光素子であって、 受信すべき光の入射面と受光層の間に、前記受光層よりバンドギャップが大きい吸収層を設け、 前記吸収層のキャリア濃度が1×1017cm-3未満であることを特徴とする、受光素子。

IPC (1件)：

H01L31/10

FI (1件)：

H01L31/10 A

Fターム (7件)：

5F049MA03 ,  5F049MB07 ,  5F049NA20 ,  5F049NB01 ,  5F049PA09 ,  5F049PA14 ,  5F049QA11

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-260016   出願人：住友電気工業株式会社