特許

J-GLOBAL ID：200903092039954190

フラックス残渣の処理方法

発明者： 市川 克之
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 奈良 武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-235277
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060761
出願日： 1999年08月23日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：

【要約】【課題】 電子回路基板に残存しているフラックス残渣による電気回路基板の絶縁劣化を防止する。【解決手段】 水を基材としたフラックスを用い、半田付けによって部品実装された電子回路基板に対し、加熱を行って、電子回路基板上のフラックス残渣の被膜上を親水性の強い状態から弱い状態に、または疎水性に改質する。

請求項（抜粋）：

水を基材としたフラックスを用い、半田付けによって部品実装された電子回路基板のフラックス残渣の処理方法において、前記電子回路基板を加熱することにより、電子回路基板上のフラックス残渣の被膜を親水性の強い状態から弱い状態に、または疎水性に改質することを特徴とするフラックス残渣被膜の処理方法。

IPC (3件)：

H05K 3/34 503 ,  B23K 1/00 ,  B23K101:42

FI (2件)：

H05K 3/34 503 Z ,  B23K 1/00 F

Fターム (4件)：

5E319CC22 ,  5E319CD21 ,  5E319CD23 ,  5E319GG07