特許

J-GLOBAL ID：200903092040452874

チタン酸鉛薄膜の製造方法

発明者： 藤井 映志 ,  鳥井 秀雄 ,  青木 正樹
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-014937
公開番号（公開出願番号）：特開平8-259361
出願日： 1988年08月22日
公開日（公表日）： 1996年10月08日
要約：

【要約】【課題】 優れた焦電特性を示すC軸配向チタン酸薄膜を300 ゚以下の低温でしかも下地基板の種類には無関係に製造する方法を提供すること。【解決手段】 鉛を含む金属または化合物とチタンを含む金属または化合物のターゲットを用いて、対象基板上に鉛とチタンを含む化合物をスパッタリングしながら、電子サイクロトロン共鳴を用いて発生させた高密度酸素プラズマを対象基板上に照射して、ペロブスカイト型の酸化物薄膜を形成するチタン酸鉛薄膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

鉛を含む金属または化合物とチタンを含む金属または化合物のターゲットを用いて、対象基板上に鉛とチタンを含む化合物をスパッタリングしながら、電子サイクロトロン共鳴を用いて発生させた高密度酸素プラズマを対象基板上に照射して、ペロブスカイト型の酸化物薄膜を形成することを特徴とするチタン酸鉛薄膜の製造方法。

IPC (5件)：

C04B 41/87 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  H01B 3/12 302

FI (5件)：

C04B 41/87 F ,  B01J 19/08 H ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  H01B 3/12 302