特許

J-GLOBAL ID：200903092045391814

半導体素子の薄膜製造方法及び同方法で薄膜を作製した半導体素子

発明者： 清水 博文
出願人/特許権者： 学校法人日本大学
代理人 (1件)： 山田 勝重 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-370252
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174027
出願日： 2001年12月04日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】 高集積化が著しいシリコン(Si)素子(ULSI)において、ベースとなるトランジスタのゲート絶縁膜に熱酸化法で作製した酸化アルミニウム(Al2O3)薄膜または超薄膜を使用し、製造プロセスを簡略化し、かつ絶縁膜特性の向上により、高性能の高集積化素子(ULSI)を実現する。【解決手段】 少なくとも上記絶縁膜を形成する面に自然酸化膜がない状態としたシリコンウェハを、0.1〜100μg/mlの濃度にAl原子を添加したRCA洗浄法用のアルカリ洗浄液に60〜120分間にわたって浸漬させ、そのシリコンウェハ表面に添加したAl原子を付着させて700〜1000°Cで10〜60分間にわたって酸化させ、SiO2及びAl2O3からなる二層構造の絶縁膜を得る半導体素子の薄膜製造方法である。

請求項（抜粋）：

シリコンウェハ上に、SiO2及びAl2O3からなる二層構造の薄膜または超薄膜の絶縁膜を熱酸化法で形成することを特徴とする半導体素子の薄膜製造方法。

Fターム (9件)：

5F058BA11 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BE03 ,  5F058BE10 ,  5F058BF55 ,  5F058BF63 ,  5F058BJ01