特許

J-GLOBAL ID：200903092049059695

半導体装置の製造方法

発明者： 鏡原 雅規
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 五十嵐 省三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-079575
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250604
出願日： 1995年03月10日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】 フォトレジスト工程を低減して製造コストを低減すること。【構成】 N型ウエル3上に形成されたフォトレジスト層21をマスクとしてボロンイオンを注入してP+型不純物拡散層14を形成する。次いで、フォトレジスト層21をアッシング技術を用いて縮小させてフォトレジスト層21'とする。この縮小されたフォトレジスト層21'をマスクとしてボロンイオンを注入してP-型不純物拡散層9を形成し、これにより、LDD構造を得る。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1)上にフォトレジスト層(21,23)を形成する工程と、該フォトレジスト層をマスクとして前記半導体基板に不純物を導入して第1の不純物拡散層(14,16)を形成する工程と、前記フォトレジスト層を縮小させる工程と、該縮小されたフォトレジスト層(21',23')をマスクとして前記半導体基板に不純物を導入して第2の不純物拡散層(9.11)を形成する工程とを具備する半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/027 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 27/08 321 E ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-360540
  
• 特開昭59-181647
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-005997   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開平2-164062
  
• 特開昭57-012548