特許
J-GLOBAL ID:200903092052314949

成形回路基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 柳田 征史 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-322779
公開番号(公開出願番号):特開平10-261445
出願日: 1989年12月21日
公開日(公表日): 1998年09月29日
要約:
【要約】【課題】 成形回路基板において、金属層からの上部および下部プラスチック層の分離を防止すると共にメッキ材料中の微小亀裂発生を防止する。【解決手段】 上部および下部プラスチック層408,410と、上部および下部プラスチック層の間に埋設される少なくとも1つの金属層402と、上部および下部プラスチック層を一体的に結合する複数の結合部414とを具備する。上部および下部プラスチック層408,410の双方又はいずれか一方に、金属層402の表面にまで延びる少なくとも1つの開口428を形成する。開口428が形成された上部および下部プラスチック層の主表面406、開口428の側壁および金属層402の表面に沿うメッキ材料によって形成され、主表面406上に配置された回路のうちの選択された回路と金属層402とを電気的に接続する導電性回路経路430を設ける。複数の結合部414のうちのいくつかは金属層402のエッジ部を通過すると共に、複数の結合部414のうちの少なくとも1対は開口428の両側に対向して配置されている。
請求項(抜粋):
上部および下部プラスチック層と、該上部および下部プラスチック層の間に埋設される少なくとも1つの金属層と、前記上部および下部プラスチック層を一体的に結合する複数の結合部とを具備し、前記上部および下部プラスチック層の双方又はいずれか一方に、前記金属層の表面にまで延びる少なくとも1つの開口を形成し、該開口が形成された前記上部および下部プラスチック層の主表面、前記開口の側壁および前記金属層の前記表面に沿うメッキ材料によって形成され、前記主表面上に配置された回路のうちの選択された回路と前記金属層とを電気的に接続する導電性回路経路を設け、前記複数の結合部のうちのいくつかは前記金属層のエッジ部を通過すると共に、前記複数の結合部のうちの少なくとも1対は前記開口の両側に対向して配置されていることを特徴とする成形回路基板。
IPC (4件):
H01R 9/09 ,  H01R 9/07 ,  H01R 23/02 ,  H05K 3/46
FI (4件):
H01R 9/09 D ,  H01R 9/07 Z ,  H01R 23/02 Z ,  H05K 3/46 J

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