特許

J-GLOBAL ID：200903092059502848

半導体素子基体およびその製造方法

発明者： 高野 仁路 ,  鈴村 正彦 ,  前田 光英 ,  早崎 嘉城 ,  白井 良史 ,  岸田 貴司
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 石田 長七 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-190914
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045762
出願日： 1995年07月26日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【課題】高耐圧、低寄生容量、低オン抵抗であり、しかも放熱特性の良好な半導体素子を容易に形成できる半導体素子基体を提供する。【解決手段】第1基板体11と第2基板体14との間に埋込酸化膜層13を有すSOI構造の基板において、横方向分離用酸化膜12aを形成する。横方向分離用酸化膜12aは、第1基板体11の内部まで延長され、さらに埋込酸化膜層13に沿って素子の下方まで延長される。したがって、縦横両方向の絶縁分離が可能になり、しかも部分的に厚みの大きい絶縁層が形成されることになる。

請求項（抜粋）：

シリコン材料からなる第1基板体と、第1基板体の上に形成された第1絶縁分離層と、第1絶縁分離層の上に素子形成層として形成されたシリコン材料からなる第2基板体と、第2基板体の表面側から第1基板体の内部に到達することにより第2基板体に形成される素子間を絶縁分離する第2の絶縁分離層とを備え、第2の絶縁分離層は第1基板体内において第1絶縁分離層の下面に当接する形で第2基板体に形成される素子の一部領域の下方まで延長されていることを特徴とする半導体素子基体。

IPC (4件)：

H01L 21/762 ,  H01L 21/308 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/76 D ,  H01L 21/308 B ,  H01L 29/78 621 ,  H01L 29/78 652 R