特許
J-GLOBAL ID：200903092066445485
ガス放電表示素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-253273
公開番号（公開出願番号）：特開平5-094766
出願日： 1991年10月01日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：
【要約】【目的】誘電体で覆われた電極間でのガス放電を利用して画像を得る交流型ガス放電表示素子の、放電空間に接する電極を覆う誘電体の二次電子放出率を高めて、駆動電圧を低減し、発光効率,信頼性を含め素子特性を改善する。【構成】放電空間に接するアルカリ土類酸化物からなる表面層を真空蒸着法により成膜形成する際、基板上の薄膜成長面に蒸着源とは別の供給源からガスまたはイオンを照射しながら成膜する、酸素雰囲気で成膜する、また希ガスイオンを基板面に照射しながら成膜する、または酸素イオンを照射しながら成膜する工程を含むガス放電表示素子の製造方法。
請求項（抜粋）：
誘電体に覆われた電極対が形成された基板と、蛍光体が形成された基板とを間隙を設けて貼合せ、前記間隙内に放電ガスを封入してガス放電表示素子を製造する方法に於いて、放電ガスに接するアルカ土類酸化物からなる誘電体層を真空蒸着法で形成する際、基板上の薄膜成長面に蒸発源とは別の供給源からガスまたはイオンを照射しながらアルカリ土類酸化物層を成膜することを特徴とするガス放電表示素子の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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