特許
J-GLOBAL ID：200903092066564360
半導体の平坦化方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-232025
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121406
出願日： 1991年09月11日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】 良好な平坦性を維持し、高温ベークの際に、クラックが発生するのを防止する。【構成】 シリコン基板1の表面に有機系塗布ガラス4を厚塗りしたのち、ベーク処理で焼成し、シリコン基板1のゲート電極2間の部分以外の有機系塗布ガラスをエッチングで除去し、有機系塗布ガラス4をベーク処理の焼成温度よりも高い温度で焼成する。
請求項（抜粋）：
半導体集積回路の製造工程でシリコン基板の電極形成面を平坦化させる半導体の平坦化方法において、前記シリコン基板の電極形成面に積層された絶縁膜に有機系塗布ガラスを厚塗りし、前記有機系塗布ガラスをベーク処理で焼成し、前記電極間の部分以外の前記有機系塗布ガラスをエッチングで除去し、前記電極間に塗布された有機系塗布ガラスを前記ベーク処理の焼成温度よりも高い温度で焼成することを特徴とする半導体の平坦化方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/316
, H01L 21/90
