半導体レーザおよびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾身祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-149738
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321656
出願日： 1995年05月25日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【目的】 AlGaInP系赤色半導体レーザにおいて、AlInP埋め込み層をMOVPE法で成長させる際にHClを用いなくても済むようにする。【構成】 GaInP(井戸)とAlGaInP(障壁)からなるMQW活性層105をAlGaInP光ガイド層104、106で挟み、その両側にAlGaInPクラッド層103、107を配置し、p側のクラッド層107をメサ状に加工し、メサ部側面を活性層よりバンドギャップが大きくかつクラッド層より低屈折率の材料(AlInP)にて埋め込んだ半導体レーザにおいて、AlInP電流ブロック層110の膜厚を0.5μm以下にする。

請求項（抜粋）：

活性層を第1導電型クラッド層とメサ形状を有する第2導電型クラッド層で挟んだダブルヘテロ構造を有し、前記メサ側部を活性層よりバンドギャップが大きくかつクラッドより低屈折率のAlを含んだIII-V族化合物半導体で埋め込んだ半導体レーザにおいて、前記埋め込み層の厚さが0.5μm以下であることを特徴とする半導体レーザ。

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