特許

J-GLOBAL ID：200903092069963363

半導体装置

発明者： 岩松 誠一
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-224168
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063187
出願日： 1991年09月04日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の界面準位密度を小さくする。【構成】 半導体装置に関し、電界効果トランジスタの少なくともゲート領域をダイアモンド膜で形成する。

請求項（抜粋）：

電界効果トランジスタの少なくともゲート領域がダイアモンド膜で形成されて成ることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/80 F