特許

J-GLOBAL ID：200903092072704484

組み合わされたイオンビームおよびマイクロ波照射手段および方法

発明者： デニス・グリオット ,  アンリ・クロード・ガイ ,  イレーヌ・パジェ ,  ピエール・ジベール ,  ジャック・リン・クヮン
出願人/特許権者： モトローラ・セミコンダクトゥール・ソシエテアノニム
代理人 (1件)： 池内 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-114254
公開番号（公開出願番号）：特開平10-055775
出願日： 1997年04月16日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】 簡単かつ低価格の構成でイオン注入による結晶損傷を的確にアニールできるようにする。【解決手段】 基板14内にイオン18を注入しかつ注入損傷をマイクロ波26の照射によってアニールする装置10が開示される。好ましい実施形態のプロセスでは、マイクロ波26は基板14を注入が開始される前に所定の温度Tpに加熱しかつ注入の間オンとされる。所望の注入ドーズ量に到達したとき、イオンビームおよびマイクロ波放射はほぼ同時にオフとされかつ基板14はチェンバ12の冷たい壁部への放射により急速に冷却され、それによって大きな横方向ドーパント再分布を防止する。基板保持チェンバ12およびそのイオンビームポート19およびマイクロ波ポート24はマイクロ波26の基板14への結合を可能にしかつマイクロ波26のイオン注入装置16への結合を避けるよう設計される。

請求項（抜粋）：

基板にイオンを注入するための装置であって、第1の結合領域を通り第1の方向で前記基板に向けられる周波数fのマイクロ波源、そしてマイクロ波の伝搬のためにカットオフ周波数f<SB>co</SB>を有する第2の結合領域を通って第2の方向で前記基板に向けられるエネルギイオン源であって、f<SB>co</SB><fであるもの、を具備することを特徴とする基板にイオンを注入するための装置。

IPC (3件)：

H01J 37/317 ,  C23C 14/48 ,  H01L 21/265

FI (4件)：

H01J 37/317 Z ,  C23C 14/48 Z ,  H01L 21/265 602 Z ,  H01L 21/265 603 C