特許
J-GLOBAL ID：200903092073682603
半導体レーザ素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-201438
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021907
出願日： 1991年07月15日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【目的】 2回成長によって製作可能とすることにより、製作プロセスを簡単にする。又、製作される素子の熱特性を良好にし、安定した横モードが得られるようにする。【構成】 第1回目の成長工程で、MOVPE法やMBE法により、n型GaAs基板11上にn型AlGaInP下部クラッド層21、GaInP活性層22、p型AlGaInPキャリア閉じ込め層23、p型GaInPエッチング停止層24、n型GaAs電流ブロック層25を順次成長させる。この後、電流ブロック層25を選択的エッチングしてストライプ溝32を形成する。ついで、この半導体基板に硫化アンモニウム処理を施した後、MBE装置内でAs分子線を照射してサーマルクリーニングする。ついで、第2回目の成長工程において、MBE法により、半導体基板の表面にp型AlGaAs上部クラッド層41とp型GaAsキャップ層42を順次積層する。
請求項（抜粋）：
第1回目の成長工程において、活性層の上方に電流ブロック層を形成し、この後、電流ブロック層の導波路形成部に対応する領域をエッチング除去し、ついで、硫化アンモニウム処理を施した後、第2回目の成長工程において、電流ブロック層の上方に分子線エピタキシャル成長法によりAlGaAsクラッド層を形成することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
