特許

J-GLOBAL ID：200903092077224375

半導体回路の検査方法及び検査装置

発明者： 河添 宏
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-313079
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138268
出願日： 1998年11月04日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】プローブカードの熱変形量を少なくし、プローブテストの精度を向上させる。【解決手段】ウエハ表面に形成した半導体回路を、ウエハの裏面から加熱しながら、プローブカードに設けたプローブを接触させて行う検査において、プローブカードをウエハと接触しない面を加熱しながら行う半導体回路の検査方法と、ウエハを固定する支持台と、支持台に設けられたウエハを加熱する手段と、ウエハに接触させるプローブを設けたプローブカードと、プローブカードに接続された検査のためのアルゴリズムを有する計算機とを備えた半導体回路の検査装置において、プローブカードのウエハと接触しない面を加熱する手段を有する半導体回路の検査装置。

請求項（抜粋）：

ウエハ表面に形成した半導体回路を、ウエハの裏面から加熱しながら、プローブカードに設けたプローブを接触させて行う検査において、プローブカードをウエハと接触しない面を加熱しながら行うことを特徴とする半導体回路の検査方法。

Fターム (5件)：

4M106AA01 ,  4M106BA01 ,  4M106BA14 ,  4M106DD10 ,  4M106DD30