特許

J-GLOBAL ID：200903092078406787

電子ビーム露光方法およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 松坂 尚 ,  加藤 誠 ,  佐藤 一彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-262218
公開番号（公開出願番号）：特開平10-106931
出願日： 1996年10月03日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 種々の補正技術を採用し、高精度化ができる電子ビーム露光方法およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法を提供する。【解決手段】 配列電子源11における2次元状に配列された複数の電子源を個別にオン-オフして形成した任意の断面形状をもつ電子ビーム13を縮小して投影する電子ビーム露光方法において、配列電子源11の特定の位置にあらかじめ定めた一つ以上の電子源をオン状態として微細な電子ビーム13を形成し、その電子ビーム13で露光される試料17における電子ビーム位置校正用の基準マーク18を走査して電子ビーム13の位置を検出することにより、試料17上での配列電子源11の照射原点のズレを検出し、偏向データに補正を加えるなどを行うものであり、高精度な露光を行うことができる。

請求項（抜粋）：

配列電子源における2次元状に配列された複数の電子源を個別にオン-オフして形成した任意の断面形状をもつ電子ビームを縮小して投影する電子ビーム露光方法において、前記配列電子源の特定の位置にあらかじめ定めた一つ以上の電子源をオン状態として電子ビームを形成し、その電子ビームで露光される試料における電子ビーム位置校正用の基準マークを走査して、その電子ビームの位置を検出することにより、前記試料上での前記配列電子源の照射原点のズレを検出し、偏向データに補正を加える工程、または、露光開始からあらかじめ定めた時間間隔毎に、前記配列電子源の特定の位置にあらかじめ定めた一つ以上の電子源をオン状態として電子ビームを形成し、その電子ビームで露光される試料における電子ビーム位置校正用の基準マークを走査して、その電子ビームの位置を検出することにより、前記試料上での前記電子ビームの照射位置の経時変化すなわち電子ビームドリフトを検出し、そのドリフト量を相殺するように偏向データに補正を加える工程、または、前記配列電子源の特定の位置にあらかじめ定めた一つ以上の電子源をオン状態として電子ビームを形成し、その電子ビームを偏向器によって偏向領域内にあらかじめ設けた偏向歪計測位置に偏向し、その電子ビームで前記偏向歪計測位置に位置する露光される試料における電子ビーム位置校正用の基準マークを走査して、その電子ビームの位置を検出することにより、前記試料上での前記偏向器の偏向歪を検出してこれを相殺するように偏向データに補正を加える工程、または、露光される試料上にあらかじめ設けた合わせマークを偏向領域内の特定の位置に試料ステージを用いて移動し、前記配列電子源の特定の位置にあらかじめ定めた一つ以上の電子源をオン状態として電子ビームを形成し、その電子ビームで前記合わせマーク上を走査して、その電子ビームにより前記合わせマークの位置を検出することを順次繰り返して前記試料上での合わせ領域の形状を検出し、その形状に合わせて前記電子ビームの偏向領域の形状に補正を加える工程の少なくとも1つを含むことを特徴とする電子ビーム露光方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504 ,  H01J 37/147 ,  H01J 37/305

FI (6件)：

H01L 21/30 541 E ,  G03F 7/20 504 ,  H01J 37/147 C ,  H01J 37/305 B ,  H01L 21/30 541 M ,  H01L 21/30 541 B