特許

J-GLOBAL ID：200903092079465833

静電破壊保護回路

発明者： 麻殖生 健二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-036463
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243512
出願日： 2002年02月14日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】高周波・低耐圧CMOS構成のICの静電破壊保護回路を提供する。【解決手段】ICの入力端子51と増幅器53を構成するNMOSトランジスタ531のゲート間を接続する配線511と、接地配線512との間に、ダイオード接続のNMOSトランジスタ521,522を逆向きかつ並列に接続した相補ダイオードを設ける。【効果】ノイズや信号損失等の高周波特性を損なうことなく、サージ電圧に強い静電破壊保護を達成できる。同時にプロセスの追加やICサイズの大幅な増大を伴うことなく構成できるため、コスト的な効果も著しい。

請求項（抜粋）：

集積回路(以下、ICと略す)のパッドと内部増幅回路の入力端子とを直接接続する配線と、該配線と接地配線との間に、それぞれが逆方向となるようにダイオードを2個並列に接続した構成のダイオード(以下、相補ダイオードと呼ぶ)を設けることを特徴とする静電破壊保護回路。

IPC (3件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H04B 1/18

FI (3件)：

H04B 1/18 G ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/04 L

Fターム (17件)：

5F038AC03 ,  5F038AC05 ,  5F038AC14 ,  5F038AZ03 ,  5F038AZ04 ,  5F038BH02 ,  5F038BH03 ,  5F038BH04 ,  5F038BH06 ,  5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038EZ20 ,  5K062AB15 ,  5K062AD04 ,  5K062AF02 ,  5K062BA02 ,  5K062BB16

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 超音波送受切換回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-258058   出願人：株式会社トキメック