特許

J-GLOBAL ID：200903092081795166

金属オキシフッ化物の超伝導性酸化物への制御された変換

発明者： スミス ジョン エイ. ,  シーマ マイケル ジェイ. ,  ソネンバーグ ネビル
出願人/特許権者： マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー
代理人 (1件)： 清水 初志 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-504767
公開番号（公開出願番号）：特表2002-505032
出願日： 1998年06月17日
公開日（公表日）： 2002年02月12日
要約：

【要約】製品が77K、ゼロ磁場で約105A/cm2より大きい、もしくはこれに等しい輸送臨界電流密度(Jc)を有する、基板上に沈着された0.5ミクロンより大きい厚さを有する酸化物超伝導体被膜を有する酸化物超伝導体製品が提供される。酸化物超伝導体被膜は、厚さが1ミクロンまでであっても、高いJcおよびc-軸エピタキシャル酸化物粒子の容積百分率が高いことを特徴とする。酸化物超伝導体製品は、金属オキシフッ化物被膜が実質的に化学量論的比率で酸化物超伝導体の構成金属元素を含む、金属オキシフッ化物被膜を提供すること;および製品が77K、ゼロ磁場で約105A/cm2より大きい、もしくはこれに等しい輸送臨界電流密度を有する酸化物超伝導体被膜が得られるように、温度、PH20、P02、およびその組合せからなる群より選択される反応パラメータを調節することによって選択される変換速度で、金属オキシフッ化物を酸化物超伝導体に変換すること、によって調製される。

請求項（抜粋）：

以下の段階を含む、酸化物超伝導体被膜を調製する方法: 金属オキシフッ化物が約0.5μmより大きいもしくはこれに等しい厚さを有し、実質的に化学量論的比率で酸化物超伝導体の構成金属元素を含む、基板上に金属オキシフッ化物被膜を提供する段階;および 77K、ゼロ磁場で約105A/cm2より大きい、もしくはこれに等しい輸送臨界電流密度を有する酸化物超伝導体被膜が得られるように、温度、PH20、およびその組合せからなる群より選択される反応パラメータを調節することによって選択される変換速度で、金属オキシフッ化物を酸化物超伝導体に変換させる段階。

IPC (6件)：

H01B 13/00 565 ,  C23C 14/06 ,  C23C 16/30 ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA

FI (6件)：

H01B 13/00 565 D ,  C23C 14/06 K ,  C23C 16/30 ,  C30B 29/22 501 A ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA D

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-305016
  
• 特開平2-085376
  
• 特開平1-320224
  
• 特開平3-192614