特許
J-GLOBAL ID：200903092082825395
磁気センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-149427
公開番号（公開出願番号）：特開平9-329655
出願日： 1996年06月11日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：
【要約】【課題】 センサ回路として相補形MOSFET(CMOS)発振回路を用い、CMOSの過渡状態の鋭いパルス電流(5〜8ナノ秒)でアモルファスワイヤなどのMI素子を十分に励磁し、定常状態ではCMOSには電流が流れない特性を利用して、低消費電力性を達成し得る磁気センサを提供する。【解決手段】 直流電源VCCと、2個のCMOSインバータと抵抗RとコンデンサCによって構成されたマルチバイブレータ回路と、磁気インピーダンス素子5とを備え、CMOSインバータのスイッチング時の過渡状態で流れるナノ秒のオーダーの時間幅の鋭いパルス電流を前記磁気インピーダンス素子5に通電することにより、前記磁気インピーダンス素子5を十分に励磁し、定常状態では前記CMOSインバータにより電流を遮断し、低消費電力で外部磁界を検出する。
請求項（抜粋）：
(a)直流電源と、(b)PMOSトランジスタとNMOSトランジスタが直列に接続された2個のCMOSインバータと抵抗とコンデンサによって構成されたマルチバイブレータ回路と、(c)磁気インピーダンス素子とを備え、(d)前記CMOSインバータのスイッチング時の過渡状態で流れるナノ秒のオーダーの時間幅の鋭いパルス電流を前記磁気インピーダンス素子に通電することにより、前記磁気インピーダンス素子を十分に励磁し、定常状態では前記CMOSインバータにより電流を遮断し、低消費電力で外部磁界を検出することを特徴とする磁気センサ。
IPC (4件)：
G01R 33/02
, G11B 5/02
, H01L 43/08
, H01L 27/22
G01R 33/02 D
, G11B 5/02 A
, H01L 43/08 A
, H01L 27/22
