特許
J-GLOBAL ID：200903092088647090

エレクトロルミネッセンス装置、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法並びに電子機器

発明者：
山内 幸夫

山内 幸夫 について

, 
深川 剛史

深川 剛史 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-239434
公開番号（公開出願番号）：特開2008-065994
出願日： 2006年09月04日
公開日（公表日）： 2008年03月21日
要約：
【課題】封止材中の水分によって封止材の接着力が低下することを防止し、信頼性に優れたエレクトロルミネッセンス装置を効率良く製造できる技術を提供する。【解決手段】本発明のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、第1大型基板4A上に枠状のシール材6を形成する工程と、シール材6によって囲まれた領域に封止材18を配置する工程と、第1大型基板4A及び第2大型基板4Bをシール材6及び封止材18を介して貼り合わせる工程とを有する。また、封止材18を配置する工程から基板を貼り合わせる工程までを乾燥雰囲気(例えば、露点が-35°C以下に制御された雰囲気)で行い、封止材18の水分含有量を500ppm以下に制御する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
発光素子が形成された第1基板と、前記発光素子を覆うように前記第1基板上に設けられた封止材と、前記封止材を介して前記第1基板上に接着された第2基板とを備え、前記封止材の水分含有量が500ppm以下であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
IPC (3件)：
H05B 33/04 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50
FI (3件)：
H05B33/04 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A
Fターム (18件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB03 ,  3K107BB04 ,  3K107CC21 ,  3K107CC23 ,  3K107CC31 ,  3K107CC42 ,  3K107CC45 ,  3K107DD03 ,  3K107EE42 ,  3K107EE54 ,  3K107EE55 ,  3K107FF14 ,  3K107FF17 ,  3K107GG00 ,  3K107GG28 ,  3K107GG52
引用特許：
出願人引用 (1件)

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