特許

J-GLOBAL ID：200903092091936710

レジスト膜の除去方法および装置

発明者： 森 義明
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-266004
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093806
出願日： 1999年09月20日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】 イオン注入工程において使用したレジスト膜を容易に、低エネルギーで除去できるようにする。【解決手段】 圧力容器10の多孔板16の上に硬化したレジスト膜24を有する半導体ウエハ22を配置する。圧力容器10のヒータ12に給電して水14を加熱し、水蒸気18を発生させる。水蒸気18は、多孔板16を介して半導体ウエハ22を加熱するとともに、レジスト膜24に接触し、レジスト膜24にクラックを発生させる。レジスト膜24は、クラックを介して浸透した水蒸気18が半導体ウエハ22との境界部に浸入することにより半導体ウエハ22から浮き上がる。レジスト膜24を浮き上がらせた半導体ウエハ22は、圧力容器10から取り出し、流水(または温水)27に晒してレジスト膜24を洗い流す。

請求項（抜粋）：

基板に付着している硬化したレジスト膜にクラックを生じさせるとともに、前記クラックを介して洗浄用液体を前記レジスト膜中に浸透させて洗い流すことを特徴とするレジスト膜の除去方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/306 D

Fターム (14件)：

2H096AA25 ,  2H096LA02 ,  2H096LA03 ,  5F043BB27 ,  5F043CC17 ,  5F043DD07 ,  5F043DD30 ,  5F043EE08 ,  5F043EE12 ,  5F043EE40 ,  5F043GG10 ,  5F046MA02 ,  5F046MA03 ,  5F046MA10