特許

J-GLOBAL ID：200903092099288571

プラズマ処理装置及びそのクリーニング方法

発明者： 鈴木 朗 ,  石塚 修一 ,  川村 剛平 ,  畑 次郎 ,  石井 信雄
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 浅井 章弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-179512
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201495
出願日： 1994年07月07日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】 アンテナ部材のインダクタンスによる誘導結合とアンテナ部材と処理容器との間の容量結合とを組み合わせることにより1×10-3Torr以下の低圧力でもプラズマを発生させることができるプラズマ処理装置を提供する。【構成】 処理容器4内においてサセプタ26上に載置した被処理体Wに対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、上記処理容器を例えばステンレス等の導電性材料により形成し、上記サセプタと対向させて処理容器内或いは処理容器外に渦巻き状のアンテナ部材6を配置する。このアンテナ部材と上記処理容器またはサセプタとの間にプラズマ発生用の高周波電源8を接続し、アンテナ部材のインダクタンスによる誘導結合と、アンテナ部材と処理容器との間の容量結合によりプラズマを発生させる。

請求項（抜粋）：

気密な処理容器内においてサセプタ上に載置された被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理容器を導電性材料により形成し、前記サセプタと対向するアンテナ部材を配置し、前記アンテナ部材の一端と前記処理容器またはサセプタとの間にプラズマ発生用の高周波電源を接続し、前記アンテナ部材の他端を開放端とすることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/302 C ,  H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 N