特許
J-GLOBAL ID：200903092102297480
リッジ導波路型半導体レーザダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-143524
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307184
出願日： 1996年05月14日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】【課題】 非常に高い光出力まで、光出力/注入電流特性が線形関係を維持するリッジ導波路型半導体レーザダイオードを提供する。【解決手段】 本半導体レーザダイオードは、クラッド層のうちの所定厚さ部分をメサ構造とし、残りの厚さDのクラッド層を活性層上全面に積層させたリッジ導波路型本半導体レーザダイオードであル。本ダイオードは、活性層22〜26に対して垂直方向の近視野像の強度が1/e2 であるスポットサイズの幅をWとするとき、Dが、0.5×W≦Dを満足するような残り厚さを活性層全面に積層されたクラッド層28〜34を有する。
請求項（抜粋）：
クラッド層のうちの所定厚さ部分をメサ構造とし、残りの厚さDのクラッド層を活性層上全面に積層させてなるリッジ導波路型半導体レーザダイオードにおいて、活性層に対して垂直方向の近視野像の強度が1/e2 であるスポットサイズの幅をWとするとき、Dが、D≧W×0.5を満足するような残り厚さDを活性層全面に積層されたクラッド層が有することを特徴とするリッジ導波路型半導体レーザダイオード。
引用特許：
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