特許

J-GLOBAL ID：200903092111095083

SOIウェハの製造方法

発明者： ピエトロ・モンタニーニ ,  フラビオ・ヴィルラ ,  ガブリエル・バルロッシ
出願人/特許権者： エスティーマイクロエレクトロニクス エス.アール.エル
代理人 (1件)： 筒井 大和 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-006740
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058802
出願日： 1999年01月13日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 低コストで供給可能なSOIウェハの製造方法を提供する。【解決手段】 本発明によるSOIウェハの製造方法は、単結晶半導体のウェハ(1)上に、第1ウェハ部分(18)を覆う耐酸化材料の逆U字形状の保護領域(30)を形成する工程と、前記第1ウェハ部分(18)間にのび、しかも前記第1ウェハ部分(18)の側部を画定する深い溝(16)を形成する工程と、保護領域で覆われる上方部分(21)の除いて前記第1ウェハ部分(18)を完全に酸化する工程と、前記酸化されてない上方部分(21)と重なった覆われた酸化物の少くとも一つの連続した領域(22)を形成する工程と、前記保護領域(30)を除去する工程と、前記酸化されてない上方部分(21)から結晶半導体材料層をエピタキシャル成長する工程とからなる。

請求項（抜粋）：

単結晶半導体のウェハ(1)上に、第1のウェハ部分(18)を覆う耐酸化材料の第1保護領域(30)を形成する工程と、前記第1ウェハ部分(18)間にのび、しかも前記第1ウェハ部分(18)の側部を画定する深い溝(16)を前記ウェハ(1)に形成する工程と、上方部分(21)を除いて前記第1ウェハ部分(18)を完全に酸化し、前記酸化されてない上方部分(21)と、前記第1保護領域(30)で覆われた酸化物の少くとも一つの連続した領域(22)を形成する工程と、前記第1保護領域(30)を除去する工程と、前記上方部分(21)から結晶半導体材料層(23)をエピタキシャル成長する工程とからなることを特徴とするSOIウェハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/76

FI (2件)：

H01L 27/12 Z ,  H01L 21/76 L