特許

J-GLOBAL ID：200903092118384404

強誘電体キャパシタ

発明者： 安本 恭章 ,  阿部 和秀 ,  梁瀬 直子 ,  川久保 隆
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-072467
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270782
出願日： 2001年03月14日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】 歪みが導入された強誘電体膜を用いた、安定的なリテンション特性を示す強誘電体キャパシタを提供する。【解決手段】 単結晶基板11上に、導電性酸化物からなる下部電極12、ペロブスカイト型の酸化物からなる強誘電体膜13及び導電性酸化物からなる上部電極14を順次エピタキシャル成長させて得られる強誘電体キャパシタであって、上部電極14と強誘電体膜13とが一つのマスクを用いた異方性ドライエッチングにより一括的に加工されており、強誘電体膜13の膜厚tが、強誘電体膜13と上部電極14との接触面積Suに対して、0.25Su≦t2≦1.2Suの範囲に設定され、且つ、強誘電体膜13と上部電極14との接触面積Suと、強誘電体膜13と下部電極12との接触面積Sbとの比Su/Sbが、1>Su/Sb≧0.25に設定されている。

請求項（抜粋）：

単結晶基板上に、導電性酸化物からなる下部電極、ペロブスカイト型の酸化物からなる強誘電体膜及び導電性酸化物からなる上部電極を順次エピタキシャル成長させて得られる強誘電体キャパシタであって、前記上部電極と強誘電体膜とが一つのマスクを用いた異方性ドライエッチングにより一括的に加工されており、前記強誘電体膜の膜厚tが、前記強誘電体膜と上部電極との接触面積Suに対して、Su/K1≦t2≦Su/K2(但し、1.78≦K1≦1111、0.04≦K2≦25)の範囲に設定され、且つ、前記強誘電体膜と前記上部電極との接触面積Suと、前記強誘電体膜と前記下部電極との接触面積Sbとの比Su/Sbが、1>Su/Sb≧0.25に設定されていることを特徴とする強誘電体キャパシタ。

Fターム (7件)：

5F083FR01 ,  5F083GA21 ,  5F083JA14 ,  5F083JA40 ,  5F083JA45 ,  5F083PR03 ,  5F083PR22