有機半導体を用いた薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小野由己男 , 稲積朋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-250325
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079598
出願日： 2004年08月30日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：

【課題】量産性が高くかつトランジスタ特性も向上した有機半導体薄膜トランジスタ表示板の提供【解決手段】絶縁基板、前記絶縁基板上に形成されているゲート電極、前記ゲート電極上部及びその周辺に局部的に形成されているゲート絶縁層、前記ゲート絶縁層を露出するトレンチ溝を有する隔壁絶縁層、前記ゲート絶縁層と前記隔壁絶縁層の上に形成されているソース電極及びドレーン電極、前記トレンチ溝内部の前記ゲート絶縁層上に形成されている有機半導体層、前記有機半導体層および前記隔壁絶縁層、前記ソース電極及び前記ドレーン電極の上に形成され、前記ドレーン電極を露出する接触孔を有する保護膜、前記接触孔を通じて前記ドレーン電極と連結されている画素電極を含む有機半導体薄膜トランジスタ表示板を製造する。特にOTS表面処理を施した酸化ケイ素や特殊有機絶縁物質からなるゲート絶縁層を前期有機半導体層の下部に形成し、他の絶縁層は低誘電率の絶縁物質を用いることにより寄生容量を低減できる他、トランジスタ特性が向上する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成されているゲート電極と、前記ゲート電極上部及びその周辺に局部的に形成されているゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層を露出するトレンチ溝を有する隔壁絶縁層と、前記ゲート絶縁層及び前記隔壁絶縁層の上に形成されているソース電極及びドレーン電極と、前記トレンチ溝内部の前記ゲート絶縁層上に形成されている有機半導体層と、前記有機半導体層、前記隔壁絶縁層、前記ソース電極および前記ドレーン電極の上に形成され、前記ドレーン電極を露出する接触孔を有する保護膜と、前記接触孔を通じて前記ドレーン電極と連結されている画素電極と、を含む有機半導体薄膜トランジスタ表示板。

IPC (4件)：

H01L29/786 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L51/00

FI (5件)：

H01L29/78 618B , G09F9/30 365Z , H01L29/78 617T , H01L29/78 617V , H01L29/28

Fターム (33件)：

5C094AA21 , 5C094AA43 , 5C094AA53 , 5C094BA03 , 5C094DA09 , 5C094DA13 , 5C094DB01 , 5C094FB01 , 5C094FB14 , 5F110AA05 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF29 , 5F110FF36 , 5F110GG05 , 5F110GG13 , 5F110GG42 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK32 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN62 , 5F110NN72

引用特許：

審査官引用 (6件)

コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-055997 出願人：株式会社日立製作所
有機半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-165986 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
有機化合物、半導体装置、有機EL素子並びに表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-131895 出願人：日本放送協会

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