特許
J-GLOBAL ID：200903092119562675
基板処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-272391
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111600
出願日： 1997年10月06日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 基板上で処理液の蒸気を結露させることなく、処理液の蒸気を含む安定した雰囲気中で基板を加熱処理することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】 混合処理蒸気生成部30は、気化器10で生成した処理液の蒸気に希釈用ガスを混合して混合処理蒸気を生成し、この混合処理蒸気を処理チャンバー50に送る。メインコントローラ72は、流量調節弁39を操作して、混合処理蒸気中の処理液の蒸気の分圧比が時間の経過とともに大きくなるように希釈用ガスの流量を調整する。また、メインコントローラ72は、離間位置にある基板Wを基板載置台51に載置するために下降させる過程で、基板Wの処理面近傍の混合処理蒸気中の処理液の蒸気の蒸気圧がほぼ飽和蒸気圧になるように、支持ピン61の下降量を制御する。
請求項（抜粋）：
処理液の蒸気を含む雰囲気中で基板を加熱処理する基板処理装置であって、処理液の蒸気に希釈用ガスを混合して混合処理蒸気を生成する混合処理蒸気生成手段と、前記混合処理蒸気を取り込む処理チャンバーと、前記処理チャンバーに設けられ、所定温度に加熱され、かつ基板が載置される基板載置台と、前記基板載置台から離れた離間位置と、前記基板載置台上に載置された載置位置とにわたって、基板を昇降変位させる基板昇降機構と、前記混合処理蒸気生成手段で生成される混合処理蒸気中の処理液の蒸気の分圧比が時間の経過とともに大きくなるように、処理液の蒸気および希釈用ガスの少なくとも一方の混合量を変える分圧比調整手段と、前記処理チャンバー内で前記基板昇降機構が基板を前記離間位置から前記載置位置にまで下降変位させる過程で、前記基板の処理面近傍の混合処理蒸気中の処理液の蒸気の蒸気圧とその飽和蒸気圧との比がほぼ一定になるように、前記混合処理蒸気中の処理液の蒸気の分圧比の変化に合わせて、前記基板昇降機構による基板の下降変位量を制御する駆動制御手段とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, H01L 21/306
H01L 21/30 567
, H01L 21/306 J
