特許
J-GLOBAL ID：200903092120473970
選択シリコンエピタキシャル膜の成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-214738
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063964
出願日： 1995年08月23日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】 ジシラン等のシラン系原料ガスを用いた選択シリコンエピタキシャル成長において、原料ガスに原子状水素を混ぜることにより、エピタキシャル膜と絶縁膜の接触部におけるファセット形成を抑制する。【解決手段】 基板温度が高くかつ原料ガス流量が少ない選択シリコンエピタキシャル成長条件においては、選択成長可能な膜厚をより厚くすることができるが、この成長条件においては、シリコン結晶の表面自由エネルギー異方性により側壁部にファセットが形成される。そこで、原料ガスに原子状水素を混ぜ、表面自由エネルギーの値を大幅に減少させる。これによって、表面自由エネルギー異方性を解消し、ファセットの無い選択シリコンエピタキシャル膜を形成する。
請求項（抜粋）：
シラン系ガスを原料ガスとしてシリコン基板上に選択シリコンエピタキシャル膜を成長する際に用いられ、前記成長の際、前記原料ガスとともに原子状水素を導入するようにしたことを特徴する選択シリコンエピタキシャル膜の成長方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C30B 25/14
, H01L 21/76
, H01L 29/78
H01L 21/205
, C30B 25/14
, H01L 21/76 E
, H01L 29/78 301 S
