特許
J-GLOBAL ID:200903092125840954
拡散接合によるハニカム体の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
萼 経夫 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-028648
公開番号(公開出願番号):特開平8-196916
出願日: 1995年01月25日
公開日(公表日): 1996年08月06日
要約:
【要約】【構成】耐熱性金属の平板と波板とからなるハニカム体にフラックス(例;K2ZrF6 )を塗布した後、溶融アルミニウムをコーティングし、非酸化性雰囲気(例;真空,不活性ガス,還元性ガス)中で加熱する(製法A)か、または前記ハニカム体を鉄と化合して低融点化合物を形成し得る雰囲気(例;HClガス)中で加熱する(製法B)ハニカム体の製法。【効果】平板と波板との接合部の面積が大きく、接合強度が十分に高いため、耐久性を有するハニカム体が得られる。特に製法Aでは、Alを含まない平板、波板を使用して加工性が高く、かつ低コストで、種々の要求性能に適合したハニカム体が得られ、製法Bでは、加熱時の雰囲気を変えるだけで、接合強度を高め得、加熱後に減圧処理を施すと該強度はさらに向上する。
請求項(抜粋):
耐熱性金属の平板と波板とを重ね合わせてなるハニカム体の製造方法であって、前記平板と波板とにフラックスを塗布した後ハニカム体を形成するか、またはハニカム体を形成した後フラックスを塗布し、フラックスを表面に有するハニカム体に溶融アルミニウムをコーティングした後、上記ハニカム体を非酸化性雰囲気中で加熱して該ハニカム体を拡散接合することを特徴とする拡散接合によるハニカム体の製造方法。
IPC (3件):
B01J 35/04 321
, B23K 20/00 310
, C23C 2/12
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