特許

J-GLOBAL ID：200903092129889826

半導体装置

発明者： 杉本 雅裕
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 長谷 照一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-336158
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164741
出願日： 1998年11月26日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板とガラス蓋との間に密閉空間を有する半導体装置において、陽極接合の際に密閉空間内に流れ込む酸素の量を減少させて、真空度の高い密閉空間を形成する。【解決手段】 半導体装置は、基板10とガラス蓋60との間にほぼ真空な密閉空間Sを設けるとともに、ガラス蓋60の接合面に複数列の凹部61a〜61cを設けている。陽極接合の際に発生する酸素は、ガラス蓋60の幅方向の内側面と外側面との間に位置する凹部61a〜61c(密閉空間SS)にも流れ込む。これにより、ガラス蓋60と枠体20との接合面積を大きくしても、密閉空間Sの真空度を高く保つとともにガラス蓋60を枠体20に堅固に固着することができる。また、凹部61a〜61cの配置を工夫することによって、接合面積を内側に向かうにしたがって小さくすることにより、前記効果はさらに期待される。

請求項（抜粋）：

シリコン基板にガラス蓋を陽極接合して同シリコン基板と同ガラス蓋との間にほぼ真空な密閉空間を形成した半導体装置において、前記シリコン基板と前記ガラス蓋の少なくともいずれか一方の接合面であって同ガラス蓋の幅方向の内側面と外側面との間の位置に凹部又は貫通孔を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/02 ,  G01L 9/12 ,  H01L 23/08 ,  H01L 29/84

FI (5件)：

H01L 23/02 B ,  H01L 23/02 J ,  G01L 9/12 ,  H01L 23/08 B ,  H01L 29/84 Z

Fターム (21件)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC11 ,  2F055CC51 ,  2F055DD05 ,  2F055EE25 ,  2F055FF43 ,  2F055GG01 ,  2F055GG12 ,  4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA24 ,  4M112CA26 ,  4M112CA36 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112EA13 ,  4M112GA01