特許

J-GLOBAL ID：200903092130502226

プラズマCVD装置

発明者： 師岡 久雄 ,  山田 寛
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-026468
公開番号（公開出願番号）：特開2001-220678
出願日： 2000年02月03日
公開日（公表日）： 2001年08月14日
要約：

【要約】【課題】 プラズマCVD装置の稼働率を向上させる。【解決手段】 陰極に高周波電力または直流電力を印加することにより、陰極に対向して配置した基板との間にプラズマを発生させ、このプラズマを利用して、基板上への薄膜の堆積を行うプラズマCVD装置であって、陰極表面の近傍において、プラズマに曝されたときにそれ単体では膜を形成しないガスを相対的に高濃度で存在させることにより、前記近傍における反応ガス濃度を相対的に低くするプラズマCVD装置。

請求項（抜粋）：

陰極に高周波電力または直流電力を印加することにより、陰極に対向して配置した基板との間にプラズマを発生させ、このプラズマを利用して、基板上への薄膜の堆積を行うプラズマCVD装置であって、陰極表面の近傍において、プラズマに曝されたときにそれ単体では膜を形成しないガスを相対的に高濃度で存在させることにより、前記近傍における反応ガス濃度を相対的に低くするプラズマCVD装置。

IPC (3件)：

C23C 16/503 ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C23C 16/503 ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/205

Fターム (30件)：

4K030AA06 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030BA30 ,  4K030BA37 ,  4K030BA38 ,  4K030BA43 ,  4K030BA44 ,  4K030EA06 ,  4K030FA03 ,  4K030JA06 ,  4K030KA17 ,  4K030KA25 ,  4K030KA46 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AE25 ,  5F045BB08 ,  5F045BB10 ,  5F045DP04 ,  5F045DP22 ,  5F045EE14 ,  5F045EE20 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH08 ,  5F045EH14 ,  5F045EK08