特許

J-GLOBAL ID：200903092132728540

固体撮像素子

発明者： 近藤 隆二
出願人/特許権者： 富士フイルムマイクロデバイス株式会社 ,  富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-256708
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076312
出願日： 2000年08月28日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 固体撮像素子に従来より多用されている光遮蔽膜に入射した光の多くは反射して迷光となるか、または光遮蔽膜に光吸収されてしまい、個々の光電変換素子での光電変換に寄与しない。【解決手段】 半導体基板1の一表面側に行列状に形成された多数個の光電変換素子10それぞれの上方に、対応する光電変換素子10の上方から入射した光をこの光電変換素子10側へ反射させる微小反射器57を設ける。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の一表面側に行列状に形成された多数個の光電変換素子と、前記多数個の光電変換素子それぞれの上方に1個ずつ配設された第1微小反射器であって、各々が、対応する光電変換素子の上方から入射した光を該光電変換素子側へ反射させる少なくとも1つの第1光反射面を有し、前記対応する光電変換素子の上方に開口部を画定している第1微小反射器とを備えた固体撮像素子。

IPC (3件)：

H01L 27/14 ,  H01L 31/0232 ,  H04N 5/335

FI (4件)：

H04N 5/335 F ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 D ,  H01L 31/02 D

Fターム (22件)：

4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118CA04 ,  4M118DB08 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118GA08 ,  4M118GB08 ,  4M118GC08 ,  4M118GC14 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024EX41 ,  5C024GY01 ,  5F088DA01 ,  5F088DA17 ,  5F088GA03 ,  5F088JA11 ,  5F088JA12